[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-9] As₂ 分子線を用いたInAs-QD 成長と1.05μm 帯広帯域光源応用の検討

〇林 佑真¹、尾崎 信彦¹、大河内 俊介²、大里 啓孝³、渡辺 英一郎³、池田 直樹³、杉本 喜正³ (1.和歌山大システム工、2.NEC、3.物材機構)

キーワード：半導体、InAs量子ドット、広帯域光源