[13p-PB6-1~20] 21.1 Joint Session K

[13p-PB6-11] Formation and characterization of GZO transparent conductive films on flexible substrates by using plasma-assisted molecular beam deposition

〇(M2)shin nakajima¹, ken nakashima¹, yoshinori oyaizu¹, tomoya nakayama¹, tsutomu muranaka¹, yoichi nabetani¹, takashi matsumoto¹ (1.Univ. of Yanamashi)

Keywords:plasma-assisted molecular beam deposition,Ga-doped ZnO,flexible substrate

II-VI族化合物半導体であるZnOは、3.37 eVと広いバンドギャップを持ち、可視光領域において透明である。また、キャリア密度が10¹⁸ cm^-3台と高いため、抵抗率が低く、電気伝導性に優れている。本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積法を用いてGZO薄膜の形成と評価を行ってきた。今回は、各種フレキシブル基板上においてGZO透明導電膜の形成と評価を行った結果を報告する。