The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Joint Session K » 21.1 Joint Session K

[13p-PB6-1~20] 21.1 Joint Session K

Sun. Sep 13, 2015 4:00 PM - 6:00 PM PB6 (Shirotori Hall)

4:00 PM - 6:00 PM

[13p-PB6-13] Fabrication of transparent conductive Nb:TiO2 films with sputtering and air annealing

〇Shoichiro Nakao1,2, Yasushi Hirose1,2,3, Tetsuya Hasegawa1,2,3 (1.KAST, 2.CREST, 3.Univ. of Tokyo)

Keywords:transparent conductive thin film,sputtering

我々はこれまでアナターゼ型Nb:TiO2(TNO)透明導電膜の実用化に取り組んできた。本系では非晶質の前駆体を還元雰囲気(真空、水素、窒素)でのアニールによって結晶化させる事で低い抵抗率(r)の多結晶薄膜を得る事が出来る。しかしながら実用の観点からは還元雰囲気の使用は高コストであり、大面積化に課題がある。我々は以前、パルスレーザー堆積(PLD)法で作製したTNO薄膜においてNb濃度を適切に選択することで大気アニールによる低抵抗化が可能である事を報告した。
今回、スパッタ法で作製したTNOの特性を報告する。