[13p-PB6-1~20] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [13p-PB6-14] イオン液体ゲート絶縁膜を用いた
a-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析

〇岡田 広美¹、藤井 茉美¹、石河 泰明¹、三輪 一元²、小野 新平²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.電中研)

キーワード：薄膜トランジスタ、イオン液体、酸化物半導体