[14a-1D-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14a-1D-10] Barrier layer thickness dependence in GaInN/GaN superlattice characterized by in situ X-ray diffraction measurement

〇junya ohsumi¹, Koji Ishihara¹, Taiji Yamamoto¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ.)

Keywords:MOVPE,in situ X-ray diffraction measurement,superlattice

GaInN超格子構造はLEDやレーザー・センサー等のアプリケーションで広く使用される。また、そのバンドギャップエネルギーは太陽光スペクトルのほぼ全範囲に相当することから太陽電池材料としての応用が期待されている。これまで、超格子構造のミスフィット転位導入の臨界膜厚の測定にその場X線回折法が有用であることを明らかにしてきた。本発表では、その手法を用いバリア層の臨界膜厚を検討し、構造による臨界膜厚の変化を検討した。