[14a-1D-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [14a-1D-3] Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000\overline{1}) p-type GaN grown by MOVPE

〇(M1)Ryohei Nonoda¹, Kanako Shojiki¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Shigeyuki Kuboya¹, Ryuji Katayama¹, Takashi Matsuoka¹ (1.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:N-polar (000-1),p-type GaN,MOVPE

III族極性(0001)（+c面）InGaNをc軸方向に反転させたN極性(000\overline{1})（–c面）InGaNは、+c面より優れたIn取り込み効率を有しており、可視光全波長域で発光する–c面InGaN LEDの作製が報告されている。–c面GaN成長においては、表面モフォロジが荒れやすく、酸素などのドナー性残留不純物を取り込みやすいことから、p型伝導を得るには成長条件の厳密な最適化が必要である。本研究では、–c面p型GaNの詳細なMOVPE成長条件と正孔濃度との関係を明らかにした。