[14a-2N-1~11] 3.15 シリコンフォトニクス

[14a-2N-9] GE-PON向けバットジョイントGe-PIN-PD

〇小野 英輝¹、下山 峰史¹、奥村 滋一¹、今井 雅彦¹、八重樫 浩樹¹ (1.PETRA)

キーワード：導波路型Ge-PD、バットジョイント、PIN構造

Siフォトニクス技術による導波路型Ge-PIN-PDの高感度化のために、従来のエバネッセント結合からバットジョイント結合に構造を変更し、且つ、従来の縦型PIN構造に加え、横型PIN構造の導波路型Ge-PIN-PDを試作した。静特性について評価したところ、横型PIN構造ではGE-PON用ONUの受光器として期待できる受光感度を得た。