[14a-2W-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14a-2W-8] Ge(111)基板上へのGaAsのMBE成長におけるGaSb緩衝層の効果

〇梶川 靖友¹、孫 一博¹、早瀬 久貴¹、後河内 健太¹、入江 将大¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：ヘテロエピタキシー、回転双晶、X線回折測定

Ge(111)基板上へのGaAsのMBE成長において、GaSb緩衝層を挟むことにより、回転双晶の発生を抑制できることがわかった。