[14a-4C-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[14a-4C-3] 原子層堆積法を用いたGeO₂/Ge界面の低温形成と電気的特性評価

〇(M2)兼松 正行¹、柴山 茂久^1,2、坂下 満男¹、竹内 和歌奈¹、中塚 理¹、財満 鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大エコトピア)

キーワード：原子層堆積法