[14a-4C-1~10] 13.3 Insulator technology

[14a-4C-9] Dependence of SiC Substrate on Thermally Grown SiO₂ Surface Roughness

〇(M1)KEISUKE BAMOTO¹, RYU HASUNUMA¹, KIKUO YAMABE¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:semiconductor,silicon carbide

SiCはSiに代わる次世代パワーデバイス材料として世界中で研究されているが、その熱酸化機構は未だに解明されていない。そのため、期待されるほどのデバイス特性が得られていない現状である。本研究では、Si面とm面の酸化速度とラフネスを比較調査した。