[14a-4C-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[14a-4C-9] SiC熱酸化SiO₂表面ラフネスの面方位依存性

〇(M1)塲本 恵介¹、蓮沼 隆¹、山部 紀久夫¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体、炭化ケイ素

SiCはSiに代わる次世代パワーデバイス材料として世界中で研究されているが、その熱酸化機構は未だに解明されていない。そのため、期待されるほどのデバイス特性が得られていない現状である。本研究では、Si面とm面の酸化速度とラフネスを比較調査した。