[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [14p-1C-3] 3D IC用ビアラスト/バックサイドビアプロセスにおける高アスペクト比ビア形成がトランジスタに与える影響評価

〇菅原 陽平¹、木野 久志²、福島 誉史^1,3、李 康旭³、小柳 光正³、田中 徹^1,4 (1.東北大院工、2.東北大学際研、3.東北大未来研、4.東北大院医工)

キーワード：三次元集積回路、チャージアップ、プラズマ