[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-2H-10] PLD法で作製したV₂O₃薄膜の相転移特性とc/a軸長比

〇坂井 穣¹、リムレット パトリス¹、舟窪 浩² (1.トゥール大GREMAN、2.東工大総理工)

キーワード：酸化バナジウム、金属絶縁体転移、格子歪み

V₂O₃薄膜をPLD法により様々な条件下でC面およびR面Al₂O₃基板上に成長させ、それらのc/a軸長比と電気伝導特性の関係を調べた。C面上の一連の膜のc/a比は2.80から2.88まで分布した。300 K - 10 Kにおいてc/a ≤ 2.83の膜は複雑なM-I-M転移を示し、それより大きいc/aをもつ膜は金属的であった。また総じてR面膜はC面膜よりも明瞭なM-I転移を示した。