2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月14日(月) 13:45 〜 17:45 2H (222)

座長:吉松 公平(東工大),打田 正輝(東大)

14:45 〜 15:00

[14p-2H-5] 急速熱処理還元法で作製した熱酸化Si基板上のFe3O4薄膜の電気および磁気伝導特性

〇藤田 晃久1、小堀 裕己1、山崎 篤志1、谷口 年史2、清水 哲夫3 (1.甲南大理工、2.阪大院理、3.産総研ナノテク)

キーワード:マグネタイト、磁気抵抗、急速熱処理還元法

酸素反応性スパッタリング法を用いて、Feターゲットから熱酸化Si基板上にヘマタイト薄膜を作製した。作製したヘマタイトを、赤外光ファネスを用いて、Ar(90%)/H2(10%)ガス雰囲気中で急速熱処理還元し、マグネタイト薄膜を作製した。また、XRD測定により試料の同定と最適熱処理時間の決定をした。さらに、表面形状を調べるために、AFM測定を行った。He冷凍機を用いて、5K~300Kの温度範囲で抵抗率および磁気抵抗の温度依存性を調べた。