2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-2H-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月14日(月) 13:45 〜 17:45 2H (222)

座長:吉松 公平(東工大),打田 正輝(東大)

15:30 〜 15:45

[14p-2H-8] 水素ドープSrFeO2における、ドープサイトと金属伝導性の関係についての第一原理計算

〇倉内 裕史1、神坂 英幸1,2、片山 司1、近松 彰1,2、長谷川 哲也1,2,3 (1.東大院理、2.JST-CREST、3.KAST)

キーワード:第一原理計算、酸水素化物

水素ドープSrFeO2は薄膜でのみ合成され、ドープによる絶縁体から金属への転移が報告されている。しかし薄膜であるため構造解析ができず、キャリア電子の放出機構も不明である。本研究では、密度汎関数理論に基づくバンド計算と化学熱力学計算により、水素ドープSrFeO2の安定構造を特定し、電子状態計算から金属化の起源を調査した。