[14p-2W-11~16] 15.7 Fundamentals of epitaxy

[14p-2W-11] STMBE observation of InAs quantum dot nucleation process by intermittent In supply method

〇Takashi Toujyou^1,2, Koichi Yamaguchi², Shiro Tsukamoto¹ (1.NIT, Anan Coll., 2.Univ. Electro-Commun.)

Keywords:quantum dot

次世代デバイスへの応用が期待されている量子ドット形成プロセスを調べるために, InAs連続供給中の二次元島構造変化や量子ドット形成についてSTMBE観察を行ってきた. しかし, 成長速度が速く同一箇所を継続して観察することができなかったため, 前回, 一回あたりの供給量を下げた断続供給により同一箇所の成長比較を行った. 今回その結果を供給毎に分けて詳細に解析を行った結果を報告する.