2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ　～

[14p-4C-1~6] 越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ　～

2015年9月14日(月) 13:30 〜 16:45 4C (432)

座長:小山 正人(東芝),渡邉 孝信(早大)

14:00 〜 14:30

[14p-4C-2] High-mチャネル材料と絶縁膜の界面制御

〇前田 辰郎1、安田 哲二1 (1.産総研)

キーワード：化合物半導体、MOSFET