[14p-4C-1~6] 越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ　～

[14p-4C-4] SiCパワーデバイスの本格的実用化に向けたMOS界面の課題

〇木本 恒暢¹ (1.京都大工)

キーワード：SiC、MOS界面、パワーデバイス

SiCは次世代の高耐圧・低損失パワー半導体として注目されている。特にSiと同様に熱酸化によりSiO₂を形成できることから、SiCパワーMOSFETは耐圧600~6500V領域のパワーデバイスの本命として研究開発が進められている。既にSiCパワーMOSFETの小規模量産が開始され、顕著な省エネ効果を実証している。しかしながら、SiC MOS界面には依然として高密度の欠陥が存在し、SiC MOSFETの性能と信頼性に悪影響を与えている。本報告では、SiCパワーMOSFETの研究開発状況を紹介した後、その界面物理の理解と特性向上について概説する。