[14p-4E-1~21] 7.6 Ion beams

[14p-4E-7] Effect of low-energy Ga ion irradiation on silicon and silicon nitride surfaces

〇Masashi Yamada¹, Yuto Matsui¹, Itsunari Yamada¹, Junichi Yanagisawa¹ (1.Univ. of Shiga Prefecture)

Keywords:ion irradiation,silicon,surface shape

Si基板表面に低エネルギーでGaイオンを照射すると、照射条件により表面が荒れ、突起構造が形成されることを見出した。イオン照射によるSi表面でのこのような荒れた構造の報告例は、知る限りにおいてはないため、本研究ではイオン照射条件と表面形状との関係を系統的に調べて報告する。