[14p-4E-1~21] 7.6 イオンビーム一般

[14p-4E-7] シリコンおよび窒化シリコン膜表面への低エネルギーガリウムイオン照射効果

〇山田 将司¹、松井 祐斗¹、山田 逸成¹、柳沢 淳一¹ (1.滋賀県立大工)

キーワード：イオン照射、シリコン、表面形状

Si基板表面に低エネルギーでGaイオンを照射すると、照射条件により表面が荒れ、突起構造が形成されることを見出した。イオン照射によるSi表面でのこのような荒れた構造の報告例は、知る限りにおいてはないため、本研究ではイオン照射条件と表面形状との関係を系統的に調べて報告する。