[14p-PA4-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [14p-PA4-5] 貼り合せMOS型光変調器実現に向けたAl₂O₃/HfO₂界面によるボイド低減手法の検討

〇(DC)韓 在勲^1,2,3、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST、3.学振DC1)

キーワード：MOS光変調器、基板貼り合せ法、ボイド低減

従来のMOS型光変調器の電極材料として用いられるpoly-Siは、その結晶質による高抵抗・高導波損が問題となっている。また、形成時の高温処理のため、スケーリングのために必要なhigh-k材料との相性もよくない。我々は、poly-Siを単結晶Siに置き換えるため、基板貼り合せ方によるSi/high-k/SOI構造を提案している。これを実現するため、今回の応物では、ALD法で堆積したAl₂O₃/HfO₂を用いることで、貼り合せ基板のボイドを大きく低減することに成功し、報告する。