[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-PB6-1] 溶液法による超低転位4H-SiCバルク結晶成長

〇旦野 克典¹、山口 聡²、木本 博行¹、佐藤 和明¹、別所 毅¹ (1.トヨタ自動車、2.豊田中研)

キーワード：半導体、炭化珪素

溶液法による低転位 4H-SiC バルク結晶成長を行った。成長時のメニスカス高さ制御により、結晶口径を拡大させた。口径が拡大した部分では、種結晶の転位が引き継がれないため、無転位の領域が得られた。一方で、種結晶上では、貫通転位(貫通らせん転位と貫通刃状転位)の引き継ぎがあった。
4H-SiC(1-100)面成長により得た、貫通転位を含まない種結晶を用いて成長を行った結果、転位密度が非常に低い結晶が得られた(1/3 以上の領域で無転位)。