[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-PB6-3] るつぼ底からのSiC溶液成長における溶液内対流と成長厚さの関係

〇(M1)沓掛 穂高¹、日根 賢人¹、太子 敏則^1,2 (1.信州大工、2.信大環境・エネ研)

キーワード：炭化ケイ素、溶液成長

本研究では、るつぼ底からのSiC溶液成長時に発生するSi溶液内対流について数値解析を行い、同じ条件下で結晶育成を行った場合の結晶厚さについて評価し、解析結果との比較、検討を行った。溶液内の流速はるつぼ回転条件や、るつぼ形状を変えることで変化することを確認した。数値解析を行った条件でSiCの溶液成長を行った結果、計算で得られる流速とるつぼ底に成長するSiC結晶の厚さの大小関係が良く一致することが分かった。