[14p-PB6-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-PB6-6] Observation of the laser ablation of SiC substrate

〇Junsuke Okamoto¹, Reina Miyagawa¹, Yu Okabe¹, Osamu Eryu¹ (1.Nagoya Inst.of Tech.)

Keywords:femtosecond laser

フェムト秒レーザーは熱的影響を極力抑えられるため、微細加工や非熱的加工に用いられている。しかし、フェムト秒レーザーを用いたアブレーション発生の物理的機構は明らかになっていないところが多い。本発表では、レーザーフルエンスと基板の面内結晶方位との相関について、アブレーション発生閾値以上の光強度で照射したSiC基板のアブレーション形状を調べたので報告する。