[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-1A-9] Si蒸気圧エッチング法による4H-SiC表面の加工変質層除去とその効果

〇鳥見 聡¹、矢吹 紀人¹、篠原 正人¹、寺元 陽次¹、野上 暁¹、金子 忠昭² (1.東洋炭素株式会社、2.関学大理工)

キーワード：SiC、Si蒸気圧エッチング、加工変質層

本報告ではSi蒸気圧エッチング法による熱化学的エッチングを用いて機械加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層除去とその効果の検証を目的とした。Si蒸気圧エッチング後表面へエピタキシャル成膜し更に活性化アニールを想定した高温処理を行い、その表面形状変化ならびに結晶欠陥評価を通して加工変質層除去効果を確認した。