2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月15日(火) 08:45 〜 11:45 1D (141+142)

座長:小林 康之(弘前大),太田 実雄(東大)

09:45 〜 10:00

[15a-1D-5] RF-MBE法によるEu添加GaN成長におけるEu取り込みに関する検討

〇田原 浩行1、関口 寛人1、山根 啓輔1、岡田 浩2,1、若原 昭浩1,2 (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS)

キーワード：希土類添加半導体、Eu