[15a-4C-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [15a-4C-8] Effect of High-Pressure Water Vapor Annealing for GaN MIS Interface Characteristics

〇Koji Yoshitsugu¹, Masahiro Horita², Yuki Tada¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.Kyoto Univ.)

Keywords:MIS interface,Hi-Lo method,high-pressure water vapor annealing

GaN系MIS-HEMTの高出力化に向けて，キャリア捕獲中心となって閾値電圧の不安定性を招くMIS界面準位の低減が求めらている．我々はこれまでに，臨界温度(374ºC)以上の高圧水蒸気をGaN上堆積絶縁膜の熱処理雰囲気として用いる，高圧水蒸気処理(high-pressure water vapor annealing, HPWVA)の導入によって，堆積絶縁膜中の酸素欠損を補償し界面準位密度を低減することを見出してきた．一方，GaN系MIS界面特性の評価方法においては，Terman法による解析が広く用いられているが，精度が低いという問題があった．本研究では，準静的(quasi-static, QS)及び高周波(100 kHz)容量電圧(C-V)特性を組み合わせたHi-Lo法から界面準位密度を算出したので報告する．