[15a-4C-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15a-4C-9] Microscopic evaluation of Mg-ion-implanted GaN layers

〇YUSUKE SAIJO¹, HIROHUMI TSUGE¹, SHUGEKI KATO¹, NISHIMURA TOMOAKI¹, TOMOYOSHI MISHIMA¹, TOHRU NAKAMURA¹ (1.Hosei Univ.)

Keywords:GaN

我々はこれまで、高品質なGaN自立基板上のn-GaNエピタキシャル層へMgイオン注入を行い、低温PL、整流性、電流注入によるUV-青色発光や正のホール係数等の観測からp型層の形成を報告した。今回、I-V特性や顕微PLマッピングにより詳細に評価したので報告する。