[15a-4C-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15a-4C-10] Investigation of suitable deposition methods of SiNx for p-GaN

〇Ikumi Oda¹, Naoki Kaneda², Seira Yamaguchi³, Keisuke Ohdaira³, Tomoyoshi Mishima¹, Tohru Nakamura¹ (1.Hosei Univ., 2.Quantum Spread, 3.JAIST)

Keywords:GaN,Free-Standing Substrate,SiN

GaNを用いたバイポーラデバイスを作製する場合ｐ型領域と電極との良好なオーミック接触が重要課題である。本研究ではデバイス工程の中で、ｐ型層にダメージを与えオーミック接触性を劣化させると懸念されるSiNx膜堆積において、３種類の堆積法の比較検討を行ったので、その結果について報告する。