[15a-4C-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15a-4C-11] Improved Current Collapse by O2 plasma treatment in AlGaN/GaN HEMTs with GaN cap layer

〇Satoshi Yoshida¹, Yoshiki Sakaida, Asubar Joel¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ.)

Keywords:AlGaN/GaN,current collapse,O2 plasma

AlGaN/GaN HEMTは高効率、高耐圧、高温特性に優れており次世代パワースイッチング素子への応用が期待されている。しかし、高電圧スイッチング動作時にオン抵抗が増加する電流コラプス現象が問題となっている。本研究では、GaNキャップ層を有するHEMTに対して酸素プラズマ処理を行い、電流コラプスに与える影響について評価したので報告する。