[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-1A-12] 4H-SiC中Al準位の正孔捕獲断面積

〇(M2)景 荻¹、加藤 正史¹、市村 正也¹、児島 一聡² (1.名工大、2.産総研)

キーワード：4H-SiC、DLTS測定、Al準位

現在、4H-SiCバイポーラデバイスの応用に対する研究が積極的に行われている。デバイスの動特性を理解するためには4H-SiC中に存在する深い準位を解明する必要があるが、p型4H-SiCのドーパントであるAl準位に対する報告はわずかしかない。本研究ではDLTS測定によりp型4H-SiC中に存在するAl準位を観測し、正孔捕獲断面積を評価した。