[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-1A-2] Siペルチェ素子・4H-SiCパワー素子の三次元集積

〇古林 寛¹、種平 貴文²、米盛 敬²、瀬尾 宣英²、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.マツダ(株)技術研)

キーワード：三次元集積、パワー素子、ペルチェ素子

高いゼーベック係数と熱伝導性を有するSiをペルチェ素子の母材として用い、4H-SiCパワー素子との三次元集積を試みた。基板に絶縁性i-SiC膜を有するn-SiC(0001)を用い、通常のSi系素子作製工程を駆使することにより、Si ペルチェ素子と4H-SiCショットキー障壁ダイオードを三次元的に融合させた構造 (以下、Si-Peltier + SiC-SBD) の作製に成功した。完成した素子は、円形のSiC-SBDが正方形のSiペルチェブロックに囲まれた構造であることが確認された。