PDF ダウンロード スケジュール 28 いいね! 1 14:45 〜 15:00 △ [15p-1A-6] エキシマレーザードーピングによる4H-SiCコンタクト抵抗の改善 〇小島 遼太1、池上 浩1、池田 晃裕1、中村 大輔1、浅野 種正1、岡田 龍雄1 (1.九州大シス情) キーワード:4H-SiC、レーザー、ドーピング