2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2015年9月15日(火) 13:30 〜 17:30 1A (131+132)

座長:黒木 伸一郎(広島大),升本 恵子(産総研)

14:45 〜 15:00

[15p-1A-6] エキシマレーザードーピングによる4H-SiCコンタクト抵抗の改善

〇小島 遼太1、池上 浩1、池田 晃裕1、中村 大輔1、浅野 種正1、岡田 龍雄1 (1.九州大シス情)

キーワード:4H-SiC、レーザー、ドーピング