[15p-1A-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-1A-7] High Efficiency Activation of Hot-implanted Phosphorus atoms into 4H-SiC by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation

〇Hiroaki Hanafusa¹, Ryosuke Ishimaru¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:Silicon Carbide,Impurity Activation,Atmorpheric Pressure Thermal Plasma Jet

本研究では300^oCの高温イオン注入を行ったサンプルに対し、熱プラズマジェットを用いて冷却速度を制御した熱処理を行い活性化と結晶性に関して調査を行った。300 ^oC注入サンプルにおいては4Hタイプを維持したまま結晶性回復しており、また、冷却速度が最も速い531^oC/sのサンプルにおいては他の報告と比較しても高い40%の活性化率が得られた。急速冷却を可能とするTPJを用いた短時間高温熱処理が4H-SiC中不純物活性化に有効であると考えられる。