[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-1A-7] 大気圧熱プラズマジェット照射による高温イオン注入した4H-SiC中Pイオンの高効率活性化

〇花房 宏明¹、石丸 凌輔¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：炭化ケイ素、不純物活性化、大気圧熱プラズマジェット

本研究では300^oCの高温イオン注入を行ったサンプルに対し、熱プラズマジェットを用いて冷却速度を制御した熱処理を行い活性化と結晶性に関して調査を行った。300 ^oC注入サンプルにおいては4Hタイプを維持したまま結晶性回復しており、また、冷却速度が最も速い531^oC/sのサンプルにおいては他の報告と比較しても高い40%の活性化率が得られた。急速冷却を可能とするTPJを用いた短時間高温熱処理が4H-SiC中不純物活性化に有効であると考えられる。