[15p-1B-1~18] 21.1 Joint Session K

△ [15p-1B-3] Fabrication of Sn-doped β-Ga₂O₃ (/overline{2}01) single crystal Schottky barrier diodes

〇(M1)Yuta Koga¹, Kazuya Harada¹, Kenji Hanada¹, Toshiyuki Oishi¹, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.)

Keywords:gallium oxide,Schottky barrier diode

酸化ガリウム(Ga₂O₃)は約4.8 eVの広いバンドギャップを有する半導体で、
次世代のパワーデバイス半導体として期待されている。
今回我々はNiを用いたSnドープ酸化ガリウムの
ショットキーバリアダイオードを作製したので報告する。
電流電圧特性の結果において、順方向では1.5 Vで83.1 A/cm²の電流密度が得られた。
逆方向では4 Vで約1 A/cm²ほど電流が流れていた。