[15p-1B-1~18] 21.1 Joint Session K

[15p-1B-4] Schottky Diode Based on Hetero Structure between GaN and β-Ga₂O₃

〇Shinji Nakagomi¹, Yusuke Takahashi¹, Taka-aki Sato¹, Yoshihiro Kokubun¹ (1.Ishinomaki Senshu Univ.)

Keywords:Ga2O3,GaN,Schottky diode

GaNテンプレート基板上にβ-Ga₂O₃層を形成したヘテロ構造を有するプレーナー型ショットキーダイオードを試作したので報告する。β-Ga₂O₃ (-201)面はGaNのc面に平行になるように配向。電流-電圧特性の温度依存性を測定した。2Vにおける整流比は室温で10⁶以上であり、300℃においても660倍。