[15p-1B-1~18] 21.1 Joint Session K

[15p-1B-5] Dependency of sputtering conditions in IGZO film

〇mitsuru ueno¹, Makoto Arai¹, Junya Kiyota¹, Kazuya Saito¹ (1.ULVAC,Inc.)

Keywords:Transparent Oxide Semiconductor,IGZO,Sputter

IGZOターゲットと基板を対向させ、ターゲット中心から0、80、160mmの位置で膜密度、膜組成を評価した。結果、0mmから160mmに向かうにつれて膜密度が減少していることが分かった。この結果は2013年秋に報告されている入射成分と膜密度の関係を再現している。1)
同様の評価位置で膜組成をみると各評価位置でIn、Ga、Znの各組成が異なることが分かった。
1)坂本純一, 他 : 応用物理学会, 2013秋季第74回学術講演会17p-B4-14