[15p-1G-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

[15p-1G-2] EFISHG法によるAu/pentacene/polyimide/IZO構造素子の初期電流消失前後のキャリア挙動評価

〇田口 大¹、間中 孝彰¹、岩本 光正¹ (1.東工大理工)

キーワード：EFISHG、初期電流、デバイス劣化

有機デバイスの研究開発が活発化し、製造プロセスの最適化によりデバイス高品質化が進められている。これにはデバイス性能を非破壊で推定する検査手法が重要であり、I-V特性に現れる初期電流など製造直後のデバイスの外部刺激への応答を検出する手法が利用できる。今回、EFISHGとI-V特性の同時評価によりMIS構造素子の初期電流が消失する前後のキャリア挙動の違いを実験により明確化できることを示したので報告する