[15p-1G-1~19] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

△ [15p-1G-8] Observation of frontier electronic structure for (diC₈BTBT)(TCNQ)

〇(D)Harunobu Koike¹, Jun'ya Tsutsumi², Satoshi Matsuoka², Satoru Inoue^2,3, Kazuma Sato¹, Tatsuo Hasegawa^2,4, Kaname Kanai¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.AIST, 3.Nipponkayaku, 4.U. Tokyo)

Keywords:electronic structure,charge transfer complex,organic semiconductor

(diC₈BTBT)(TCNQ)薄膜は電荷移動相互作用により大気中で安定なn型のトランジスタ特性を示す。本研究は、(diC₈BTBT)(TCNQ)薄膜の電子構造を紫外光電子分光法（UPS）と逆光電子分光法（IPES）を用いて観測した。そして、電荷移動相互作用の大きさを、エネルギー準位のシフト幅から推定した。講演では、電荷移動相互作用と電子構造の相関をもとに大気・熱安定性やトランジスタ特性についても議論する。