[15p-2H-1~6] 機能性材料・デバイス解析の最近の動向

[15p-2H-4] 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法による次世代パワー半導体デバイスの評価と走査型非線形誘電率ポテンショメトリの提案

〇長 康雄¹、茅根 慎通¹、廣瀬 光太郎¹、山末 耕平¹ (1.東北大通研)

キーワード：走査型非線形誘電率顕微鏡、超高次走査型非線形誘電率顕微鏡、走査型非線形誘電率ポテンショメトリ

固体材料表面の誘電分極分布及び半導体中のキャリア・固定電荷分布が超高感度・高分解能で観測できる走査型非線形誘電率顕微鏡法(SNDM)が我が国において独自に発明・開発されてきた.最近ではSNDM の発展形として超高次非線形誘電率顕微鏡法(SHO-SNDM)が開発され，これを用いてSiC パワー半導体デバイスの詳細な解析やアモルファスシリコン薄膜太陽電池のp-i-n 接合の可視化・分析に成功している．また非接触SNDM をベースにした表面電位の定量的測定法（SNDP）を新たに提案し，グラフェン/SiC界面の双極子モーメント由来電位分布の原子分解能計測にも成功している． 本講演ではSNDM ，SHO-SNDM そしてSNDP を用いた機能性材料・デバイス解析の最近の動向について概説する．