[15p-2H-1~6] 機能性材料・デバイス解析の最近の動向

[15p-2H-6] 特定箇所・高空間分解能・高感度ＳＳＲＭによるキャリア分布計測技術及びＳｉデバイスへの応用

〇張 利¹ (1.東芝　Ｒ＆Ｄセンター)

キーワード：拡がり抵抗顕微鏡、キャリア/ドーパント、2次元プロファイリング、マッピング

代表的な2Dキャリア計測技術として真空中拡がり抵抗顕微鏡技術(SSRM)が注目されている．これまで我々は真空排気によるノイズ及び接触抵抗の低減効果を確認し，空間分解能向上を見出している(1nm)．ITRS2013計測技術ロードマップでは，キャリア濃度2D計測技術として，高真空中SSRMの有効性が強調されている．
また，特定箇所解析可能なSSRM技術(SS-SSRM)の実現により、微細デバイス評価のみならず、実デバイスの故障解析への応用も可能になり，さらに，このSSRM技術の量産現場へ展開することに成功した．これまでデバイス特性に対応したSSRM分析事例を報告してきた．
本稿では，SS-SSRM技術を用いた離散化ドーパント分布の直接観察を紹介すると共に，高感度SSRMによる低濃度領域Siパワーデバイス故障解析に応用した事例を報告する．