[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-2L-7] XRD測定による (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜の電界印加下の結晶構造変化の定量分析

〇舟窪 浩¹、大島 直也¹、清水 荘雄¹、中島 光雅¹、江原 祥隆¹、及川 貴弘¹、内田 寛² (1.東工大、2.上智大)

キーワード：PZT

PZT薄膜に代表される圧電体薄膜は、ピエゾMEMS応用で検討されてきた。従来の圧電体の研究では、製膜直後のX線回折(XRD)による結晶構造解析と、分極後の圧電性の関係が議論されてきた。しかしこの研究方法は、分極処理による結晶構造変化や、電界印加下での結晶構造変化を十分に考慮できていない。これまでに我々は電圧印加下におけるラマン散乱測定などを通して、電圧印加による結晶構造の変化を定性的に議論してきた。本研究では、XRD測定を用いることで、正方晶PZTにおける圧電性の定量的理解を試みたので報告する。