[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15p-2L-8] Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜の作製

〇片山 きりは¹、清水 荘雄²、木口 賢紀³、赤間 章裕³、今野 豊彦³、内田 寛⁴、坂田 修身⁵、舟窪 浩^1,2 (1.東工大総理工、2.東工大元素、3.東北大金研、4.上智大理工、5.物質・材料研究機構)

キーワード：強誘電体、ハフニア、斜方晶