[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-2R-3] サファイア基板上に合成したII型Geクラスレート膜の光学的評価

萬條 寛之¹、向井 哲也¹、鈴木 涉太¹、〇大橋 史隆¹、伴 隆幸¹、久米 徹二¹、野々村 修一¹ (1.岐大工)

キーワード：クラスレート、光吸収、薄膜

II型Geクラスレートは，Ge原子により構成されるかご状の枠組構造を持つ。かごの中にはNaなどの金属原子をゲストとして内包し，ゲスト原子を取り除いたゲストフリーII型Geクラスレートは半導体の性質を示す。実験及び理論計算によりそれぞれ0.6，1.3eVのバンドギャップを有する半導体であると報告されていることから，太陽電池の光吸収材料として期待できる。しかしながら、通常粉末として合成されることから、その半導体物性は明らかになっていない。本研究では、サファイア基板上に合成したNa_XGe₁₃₆膜の光吸収特性ついて評価を行った。