[15p-2W-1~23] 2.2 検出器開発

[15p-2W-6] SOI技術を用いたアバランシェリニアモードの裏面照射型イメージング検出器開発のためのTCADシュミュレーション

〇浜崎 竜太郎¹、西村 龍太郎¹、新井 康夫²、倉知 郁生²、三好 敏喜²、山田 美帆²、小山 晃広³、島添 健次³ (1.総研大、2.KEK素核研、3.東大工)

キーワード：SOI技術

SOI技術を用いて軟X線～紫外光などの微弱信号検出器と読み出し回路のモノシリック型検出器の開発を行っている。特に線形領域でアバランシェ増幅、特定箇所に増倍電荷を集める電荷収集電場構造、SOI技術による回路を付加させるデバイス構造が特徴である。本講演ではTCADによるデバイス構造最適化について、現状の開発状況と合わせて報告する。