[15p-4C-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15p-4C-12] Electrical characteristics of GaAs/GaN junctions by using surface-activated bonding

〇(M1)shoji yamajo¹, Jianbo Liang¹, Noriyuki Watanabe², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.NTT Device Technology Laboratories)

Keywords:GaN,surface-activated bonding,GaAs

表面活性化ボンディング(SAB)法は常温で基板同士を直接接合する方法であり、格子定数や熱膨張係数の異なる異種材料の接合形成が可能である。GaAs は高い移動度を持ち、ワイドギャップ半導体であるGaN と組み合わせることで高周波、高耐圧のデバイス作製が期待される。結晶成長によってGaAs/GaN ヘテロ接合を形成することは困難であり、直接接合が有望と考えられる。今回我々は、SAB 法を用いてp-GaAs/n-GaN ヘテロ接合を作製し、その電気特性の評価をおこなった。