[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-2] 独立電圧印加型Filed Plate電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのキャリア捕獲・放出解析

〇間瀬 駿¹、分島 彰男¹、江川 孝志¹ (1.名古屋工業大学)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、フィールドプレート

我々は、独立に電圧を印加可能なField Plate（CFP)電極をゲート・ドレイン間に堆積し、ゲート・ドレインでのパルス動作とCFP電極の電圧変化を同期させることで生じる電流変化を用いて、AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリアの放出過程を評価している。今回、これまでに観察した放出過程だけでなく捕獲過程の過渡応答も観察できた。また、キャリア捕獲・放出の起源は界面の連続準位であると示唆される。