[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-7] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性(IV)

〇山下 良美¹、渡邊 一世¹、遠藤 聡^1,2、笠松 章史¹、三村 高志^1,2 (1.情報通信研究機構、2.富士通研)

キーワード：GaN、HEMT、InAlN

MIS型およびMES型のInAlN/AlN/GaN HEMTにおいてInAlNバリア層厚を5 nmから2 nmまで薄膜化し、ゲート・チャネル間距離を短縮したデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性を検討した。