[15p-4E-1~23] 7.2 Applications and technologies of electron beams

[15p-4E-21] Electric field and electrode geometry of double-gated Spindt-type field emitter array

〇Yasuhito Gotoh¹, Hiroshi Tsuji¹, Masayoshi Nagao² (1.Kyoto Univ., 2.AIST)

Keywords:field emitter array,computer simulation

ダブルゲート構造のスピント型エミッタのゲート長さや集束電極径を変化させたときに、エミッタ先端の電界強度が集束電位とともにどのように変化するかを計算機実験により求めた。エミッタと同じ高さのゲートをもつエミッタでは、集束電位印加に伴いエミッタ先端電界の低下が見られたが、ゲートを長くすることで集束電位の影響を低減でき、集束電極径の変化にもあまり影響されないことが明らかとなった。